在数字化浪潮席卷全球的今天，算力已成为驱动社会进步的核心引擎。服务器、数据中心等关键领域的算力爆发式增长，推动着存储技术向更高带宽、更大容量、更低功耗方向持续演进。DDR5内存作为新一代存储技术的核心代表，正快速替代 DDR4 成为市场主流，而与之配套的电源管理芯片，则成为决定存储系统性能的关键器件。
11月14日至16日，在深圳举行的第二十七届中国国际高新技术成果交易会（以下简称“高交会”）上，乘翎微电子以DDR5存储PMIC为核心展品，向业界展示了公司在高端电源管理领域的创新实力，凭借精准的市场定位与技术革新，为行业带来了算力支撑的全新解决方案。
存储行业迭代加速，PMIC成核心刚需
随着AI大模型训练、云计算、边缘计算等应用场景的深度拓展，数据处理量呈指数级增长，对内存的性能要求达到新高度。DDR5作为新一代内存标准，凭借其高速度、高能效和更大容量，正迅速取代DDR4成为市场主流。据行业分析，2025年全球DDR5市场规模预计突破150亿美元，年复合增长率超40%。在中国市场，2025年本土DDR5市场规模或达300亿元，占全球份额20%。预计到2028年，中国DDR5内存市场规模将达到约80亿美元。
内存技术的升级必然带动配套器件的革新，DDR5 PMIC 的战略价值日益凸显。PMIC作为内存模组的“电力心脏”，直接决定 DRAM 内存的供电稳定性，其性能表现直接关联内存的最大存储容量、运行频率以及响应速度等关键指标，因此，高性能DDR5 PMIC已成为存储行业的刚性需求。
然而，当前市场上的 DDR5 PMIC 产品仍存在诸多痛点。部分产品难以满足算力服务器的大电流供电需求，另有产品兼容性的局限，无法适配多样化的 DDR5 内存模组类型。这些技术短板导致市场上仍缺乏面向大功率、高可靠性算力服务器的成熟国产电源管理芯片产品，核心技术与产品长期依赖进口。这些行业痛点既凸显了高端DDR5 PMIC 领域技术的重要性，也为具备核心研发实力的技术型企业提供了突破机遇，更成为乘翎微电子深耕该领域的核心出发点。
技术创新驱动，乘翎破局DDR5 PMIC技术瓶颈
作为专注于高端电源管理芯片研发的企业，乘翎微电子精准把握行业发展趋势，针对算力场景的核心需求打造专属解决方案。
在核心技术层面，乘翎微电子DDR5 PMIC是专为算力服务器所需的大电流内存模组而设计，通过研究大功率可配置内存单元供电架构，内置高性能直流-直流转换器，创新实现分相供电及双向大功率并联供电模式，灵活满足内存单元多路独立供电需求，而核心功率开关的单芯片集成设计，更是在简化电路的同时实现了高效大功率可配置供电，为算力服务器高密度内存模组提供稳定电力保障。
针对传统PMIC负载响应的技术瓶颈，团队从控制级和功率级双向发力，提出多相迟滞控制结合双路相位优化技术，破解了负载响应受限于电感电流斜率和环路响应延时的行业难题，大幅提升负载瞬态响应速度，为内存高频稳定运行筑牢基础。
大电流场景下的均流控制精度，直接决定供电稳定性与芯片可靠性，乘翎微电子的创新方案为此提供了优质解决方案。均流方案通过实时反馈多相电流信息，能够自适应调整电流采样比例，精准控制各相占空比信号，最终实现高效均衡的多相均流效果。与常规功率管镜像方案相比，无需功率管镜像匹配机制及高带宽运算放大器，电路结构更加简单。
在兼容性与可靠性方面，产品全面适配DDR5服务器内存、DDR5 SODIMM（笔记本内存）、DDR5 UDIMM（台式机内存）等多种模组类型，覆盖从数据中心到个人终端的全场景应用。
赋能算力升级，彰显企业核心价值
乘翎微电子始终坚持以技术创新为核心竞争力，依托多年在电源管理芯片领域的技术积累，构建了从芯片设计、仿真验证到量产测试的全流程研发体系。公司组建了由行业资深专家领衔的研发团队，聚焦存储、汽车电子、新能源等核心领域，持续推进技术迭代与产品创新。
此次高交会上展示的DDR5存储PMIC，正是公司技术实力的集中体现，也彰显了乘翎微电子立足行业需求、破解技术瓶颈的责任与担当。
随着存储行业的需求持续升级，对电源管理芯片的性能要求也将不断提高。乘翎微电子将持续加大研发投入，推进技术创新与产品升级，拓展更多应用场景。相信在技术创新的驱动下，公司将为客户提供更优质的产品与服务，助力存储产业驶向更广阔的未来。